A、射野的面積與靶區(qū)面積一致,且靶區(qū)表面與靶區(qū)內(nèi)諸點(diǎn)的劑量不同
B、射野的形狀與靶區(qū)截面形狀一致,且靶區(qū)內(nèi)諸點(diǎn)的劑量率能按要求調(diào)整
C、射野的輸出劑量率處處一致,且靶區(qū)內(nèi)諸點(diǎn)的劑量率能按要求調(diào)整
D、射野的形狀與靶區(qū)截面形狀一致,且靶區(qū)內(nèi)與表面的劑量不等
E、在各個(gè)照射方向上射野的面積處處相等,且靶區(qū)內(nèi)諸點(diǎn)的劑量率能按要求調(diào)整
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A、多源插植時(shí),放射源長(zhǎng)度和各放射源間的距離相等
B、平面插植時(shí),周邊源和中心源的強(qiáng)度之比由輻射平面的面積而定
C、所有放射源的線比釋動(dòng)能率相等
D、放射源是相互平行的直線源,插植時(shí)各源的中心在同一平面,即中心平面
E、多平面插植,放射源排列為等邊三角形或正方形
A、穿透力強(qiáng)
B、保護(hù)皮膚
C、骨和軟組織有同等的吸收劑量
D、半影更小
E、旁向散射小
A、射野均勻度檢查
B、加速器輸出劑量校準(zhǔn)
C、患者透射劑量分布測(cè)量
D、患者出射面劑量分布驗(yàn)證
E、患者體內(nèi)三維劑量分布重建
A、較高能量的電子束,照射野對(duì)百分深度劑量無(wú)影響
B、較低能量的電子束,照射野對(duì)百分深度劑量無(wú)影響
C、較低能量的電子束,較大照射野對(duì)百分深度劑量影響較大
D、較高能量的電子束,較大照射野對(duì)百分深度劑量影響較大
E、較高能量的電子束,較小照射野對(duì)百分深度劑量影響較大
A、指從放射源(或X射線靶)射出的原始X(γ)光子
B、它的劑量等于總吸收劑量與散射劑量之差
C、有效原射線劑量包括原射線與準(zhǔn)直系統(tǒng)相互作用產(chǎn)生的散射線光子
D、有效原射線劑量不包括原射線與準(zhǔn)直系統(tǒng)相互作用產(chǎn)生的散射線光子
E、它在模體中任意一點(diǎn)的注量遵從平方反比定律和指數(shù)衰減定律
最新試題
光電效應(yīng)時(shí)入射X(γ)光子的能量一部分轉(zhuǎn)化為次級(jí)電子動(dòng)能,另一部分為特征X 射線能量。
帶電粒子入射到物體時(shí),沒有確定的射程。
低LET射線的RBE值()1.0,高LET射線的RBE值()2.0。
百分深度劑量受照射野面積的影響。
目前靶區(qū)劑量的精確性規(guī)定應(yīng)達(dá)到()。
實(shí)際患者治療時(shí),無(wú)環(huán)重定位技術(shù)的靶點(diǎn)位置總的治療精度稍劣于有環(huán)技術(shù)。
影響靶點(diǎn)位置精確度的因素包括機(jī)械精度,定位精度和擺位精度。
巴黎系統(tǒng)規(guī)定臨床靶區(qū)的厚度T大于1.2cm 時(shí),應(yīng)采用雙平面插植。
源皮距越小,百分深度劑量越大。
關(guān)于組織補(bǔ)償?shù)拿枋?,錯(cuò)誤的是()。