多項選擇題用來定義細(xì)胞的增殖周期的兩個時間段是（）

A.G1期
B.G2期
C.M期
D.N期
E.S期


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1.多項選擇題電子直線加速器中電子束偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)的方式包括（）

A.12.5°偏轉(zhuǎn)
B.45°偏轉(zhuǎn)
C.90°偏轉(zhuǎn)
D.112.5°（滑雪式）偏轉(zhuǎn)
E.270°（消色散）偏轉(zhuǎn)

2.單項選擇題電子束劑量模型中尚未解決的問題不包括（）

A.原射電子的反向散射
B.電子束的小角度多級散射
C.不規(guī)則射野輸出因子的計算
D.斜入射對劑量影響的處理需進(jìn)一步完善
E.高能次級電子在不均勻組織中的劑量計算

3.單項選擇題機(jī)頭散射線的主要來源是（）

A.均整器
B.X射線靶
C.初級準(zhǔn)直器
D.二級準(zhǔn)直器
E.監(jiān)測電離室

4.單項選擇題不均勻組織三維處理方式與一維處理方式對比（）

A.前者可考慮計算點(diǎn)位置不均勻組織的厚度，而后者可考慮計算點(diǎn)所在平面內(nèi)不均勻組織的實(shí)際形狀
B.前者可考慮計算點(diǎn)所在平面內(nèi)不均勻組織的實(shí)際形狀，而后者可考慮計算點(diǎn)所位置不均勻組織的厚度
C.前者可考慮計算點(diǎn)所在平面及相鄰層面內(nèi)不均勻組織的實(shí)際形狀，而后者可考慮計算點(diǎn)位置不均勻組織的厚度
D.前者可考慮計算點(diǎn)所在平面內(nèi)不均勻組織的實(shí)際形狀，而后者可考慮計算點(diǎn)所在平面及相鄰層面內(nèi)不均勻組織的實(shí)際形狀
E.前者可考慮計算點(diǎn)所在平面及相鄰層面內(nèi)不均勻組織的實(shí)際形狀，而后者可考慮計算點(diǎn)所在平面內(nèi)不均勻組織的實(shí)際形狀

5.單項選擇題劑量計算模型中考慮的幾何因素不包括（）

A.源皮距
B.射野面積
C.組織深度
D.離軸距離
E.計算網(wǎng)格