A.能量越高,射野越小,表面劑量越高
B.能量越高,射野越大,表面劑量越高
C.能量越低,射野越小,表面劑量越高
D.能量越低,射野越大,表面劑量越高
E.能量影響相對(duì)較小,射野大小對(duì)表面劑量影響很大
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A.對(duì)于60Coγ射線,任何深度處等劑量由線射線中心軸上的值都是最小的,隨著向射野邊界靠近而增加
B.對(duì)于60Coγ射線,任何深度處等劑量曲線射線中心軸上的值都是最小的,隨著向射野邊界靠近而減少
C.對(duì)于兆伏級(jí)光子線,在淺層深度處,同一深度的離軸劑量通常比中心軸劑量大,這是由于均整塊的設(shè)計(jì)所導(dǎo)致的
D.對(duì)于兆伏級(jí)光子線,在淺層深度處,同一深度的離軸劑量通常比中心軸劑量大,這是由于散射箔的設(shè)計(jì)所導(dǎo)致的
E.對(duì)于兆伏級(jí)光子線,在淺層深度處,同一深度的離軸劑量通常比中心軸劑量大,這是由于光子線的靶設(shè)計(jì)所導(dǎo)致的
A.氟化鋰
B.氯化納
C.硫酸銅
D.硫酸鐵
E.硫酸亞鐵
A.不會(huì)改變
B.射野的劑量均勻性不變,半影區(qū)增寬
C.射野的劑量均勻性變好,半影區(qū)增寬
D.射野的劑量均勻性變劣,半影區(qū)變窄
E.射野的劑量均勻性變劣,半影區(qū)增寬
A.l個(gè)
B.2個(gè)
C.4個(gè)
D.8個(gè)
E.16個(gè)
A.計(jì)時(shí)器的準(zhǔn)確性
B.18mm頭盔準(zhǔn)直器的總輸出劑量
C.每個(gè)頭盔的相對(duì)輸出因子
D.每個(gè)靶點(diǎn)的定位坐標(biāo)
E.應(yīng)急電源
最新試題
源皮距越小,百分深度劑量越大。
準(zhǔn)直器所產(chǎn)生的散射線對(duì)劑量的貢獻(xiàn)主要源于二級(jí)準(zhǔn)直器。
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對(duì)重離子,線性碰撞本領(lǐng)是選擇組織替代材料的首要條件。
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