A.m-2
B.cm-2
C.Jm-2
D.Jcm-2
E.Jkg-1
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A.細(xì)胞再增殖、乏氧細(xì)胞再氧合、細(xì)胞凋亡、細(xì)胞壞死
B.細(xì)胞周期的再分布、細(xì)胞再增喔、細(xì)胞變異、細(xì)胞乏氧
C.細(xì)胞再增殖、乏氧細(xì)胞再氧合、細(xì)胞凋亡、細(xì)胞變異
D.亞致死損傷的修復(fù)、細(xì)胞周期的再分布、細(xì)胞再增殖、乏氧細(xì)胞再氧合
E.乏氧細(xì)胞再氧合、細(xì)胞再增殖、細(xì)胞變異、細(xì)胞凋亡
A.CT圖像
B.治療計(jì)劃系統(tǒng)
C.加速器等中心
D.體位固定器
E.激光定位燈
A.形成非對稱野
B.實(shí)現(xiàn)等中心旋轉(zhuǎn)切線照射技術(shù)
C.用于改善射野劑量平坦度
D.通過計(jì)算機(jī)控制實(shí)現(xiàn)動態(tài)楔形板功能
E.通過計(jì)算機(jī)控制實(shí)現(xiàn)調(diào)強(qiáng)適形放療
A.γ射線能量較低
B.半衰期59天
C.用于插植治療
D.防護(hù)容易
E.劑量分布不隨被擂植組織結(jié)構(gòu)變化
A.晚S>G2M>早S>G1
B.早S>G2M>G1>晚S
C.G2M>G1>早S>晚S
D.G2M>晚S>早S>G1
E.早S>G1>G2M>晚S
最新試題
隨能量增大,光電效應(yīng)發(fā)生的概率迅速減小。
百分深度劑量受照射野面積的影響。
低LET射線的RBE值()1.0,高LET射線的RBE值()2.0。
實(shí)際患者治療時,無環(huán)重定位技術(shù)的靶點(diǎn)位置總的治療精度稍劣于有環(huán)技術(shù)。
α/β不僅代表了細(xì)胞存活曲線的曲度,也代表了細(xì)胞對亞致死損傷的修復(fù)能力。
帶電粒子入射到物體時,沒有確定的射程。
光電效應(yīng)時入射X(γ)光子的能量一部分轉(zhuǎn)化為次級電子動能,另一部分為特征X 射線能量。
治療證實(shí)是治療準(zhǔn)確執(zhí)行的重要保證,包括驗(yàn)證記錄系統(tǒng),射野影像系統(tǒng),活體劑量測量系統(tǒng)。
對重離子,線性碰撞本領(lǐng)是選擇組織替代材料的首要條件。
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動能率相等。