A.越清晰
B.質(zhì)量越高
C.不受影響
D.對(duì)比度越低
E.對(duì)比度越高
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A.锎—225
B.鍶—90
C.銥—192
D.銫—137
E.碘—125
A.蓋格計(jì)數(shù)器
B.指形電離室
C.平行板電離室
D.半導(dǎo)體探頭
E.膠片
A.常規(guī)模擬機(jī)的X射線片可以通過(guò)骨性標(biāo)志來(lái)定位靶區(qū)
B.CT模擬需要通過(guò)DRR和BEV來(lái)決定照射野幾何參數(shù)
C.CT模擬過(guò)程包括傳送CT圖像到虛擬模擬圖像工作站
D.常規(guī)模擬只能通過(guò)手工方式獲取身體輪廓
E.CT模擬比常規(guī)模擬能更準(zhǔn)確地反映呼吸運(yùn)動(dòng)的范圍
A.2.2cm
B.3.0cm
C.3.9cm
D.4.8cm
E.6.1cm
A.2mm
B.5mm
C.10mm
D.20mm
E.25mm
最新試題
低LET射線的RBE值()1.0,高LET射線的RBE值()2.0。
巴黎系統(tǒng)規(guī)定臨床靶區(qū)的厚度T大于1.2cm 時(shí),應(yīng)采用雙平面插植。
光電效應(yīng)時(shí)入射X(γ)光子的能量一部分轉(zhuǎn)化為次級(jí)電子動(dòng)能,另一部分為特征X 射線能量。
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動(dòng)能率相等。
帶電粒子與物質(zhì)的一次相互作用可以損失其能量的全部或很大一部分。
等效射野指的是通過(guò)計(jì)算換算后的方形野。
電磁掃描調(diào)強(qiáng)不僅具有X 射線光子的利用率高、治療時(shí)間短的優(yōu)點(diǎn),而且可實(shí)現(xiàn)電子束、質(zhì)子束的調(diào)強(qiáng)治療。
對(duì)重離子,線性碰撞本領(lǐng)是選擇組織替代材料的首要條件。
關(guān)于組織補(bǔ)償?shù)拿枋觯e(cuò)誤的是()。
百分深度劑量受照射野面積的影響。