A.射線束能量高
B.射線束劑量率高
C.放射源尺寸大
D.曝光時(shí)間長(zhǎng)
E.照射距離長(zhǎng)
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A.必須使用線源且相互平行
B.所有放射源的中心必須位于同一平面
C.所有線源的強(qiáng)度必須注明和均勻
D.相鄰放射源的間距必須相等
E.可使用不同放射性核素
A.5cm
B.10cm
C.15cm
D.20cm
E.25cm
A.中子慢化
B.中子俘獲
C.中子與門(mén)產(chǎn)生的γ射線
D.散射、漏射線
E.感生射線
A.當(dāng)一個(gè)粒子與其反粒子發(fā)生碰撞時(shí),其質(zhì)量全部轉(zhuǎn)化為γ輻射能量
B.正,反粒子發(fā)生碰撞產(chǎn)生γ輻射也是一種核反應(yīng)
C.正,負(fù)電子發(fā)生碰撞時(shí),產(chǎn)生兩個(gè)能量為0.511MeVγ光子
D.正,負(fù)電子發(fā)生碰撞時(shí),產(chǎn)生一個(gè)能量為1.022MeVγ光子
E.只有靜止能量的正,負(fù)電子在湮滅時(shí),產(chǎn)生的兩個(gè)γ光子運(yùn)動(dòng)方向相反
A.本質(zhì)上比釋動(dòng)能就是給予介質(zhì)的吸收劑量
B.比釋動(dòng)能只適用于間接致電離輻射,而吸收劑量適用于所有類型輻射
C.在電子平衡條件下可由比釋動(dòng)能計(jì)算吸收劑量
D.X射線能量低時(shí),產(chǎn)生的次級(jí)電子能量低射程短,介質(zhì)中某點(diǎn)的吸收劑量等于比釋動(dòng)能
E.當(dāng)韌致輻射的能量損失可以忽略時(shí),比釋動(dòng)能和吸收劑量數(shù)值上相等
最新試題
目前靶區(qū)劑量的精確性規(guī)定應(yīng)達(dá)到()。
低LET射線照射哺乳動(dòng)物細(xì)胞存活曲線在低劑量段有肩區(qū),提示()。
準(zhǔn)直器所產(chǎn)生的散射線對(duì)劑量的貢獻(xiàn)主要源于二級(jí)準(zhǔn)直器。
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動(dòng)能率相等。
低LET射線的RBE值()1.0,高LET射線的RBE值()2.0。
電磁掃描調(diào)強(qiáng)不僅具有X 射線光子的利用率高、治療時(shí)間短的優(yōu)點(diǎn),而且可實(shí)現(xiàn)電子束、質(zhì)子束的調(diào)強(qiáng)治療。
α/β不僅代表了細(xì)胞存活曲線的曲度,也代表了細(xì)胞對(duì)亞致死損傷的修復(fù)能力。
對(duì)重離子,線性碰撞本領(lǐng)是選擇組織替代材料的首要條件。
影響靶點(diǎn)位置精確度的因素包括機(jī)械精度,定位精度和擺位精度。
利用圓形小野旋轉(zhuǎn)集束照射是X(γ)射線SRT(SRS)的基本特征。