A.高劑量率治療的總劑量較高
B.高劑量率治療的總劑量較低
C.二者總劑量相近
D.依所用放射源而定
E.依病變部位而定
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A.適形照射
B.插植照射
C.適形插植照射
D.適形組織內(nèi)照射
E.模照射
A.電子束治療技術(shù)難度小,近距離治療技術(shù)難度大
B.電子束的劑量較復(fù)雜
C.電子束治療是一次照射,近距離治療可分割照射
D.電子束治療的合并癥較多,近距離治療合并癥較少
E.電子束治療的成本較高,近距離治療的成本較低
A.腫瘤放射敏感性中等或較差
B.腫瘤體積較大
C.腫瘤侵犯骨
D.腫瘤邊界欠清
E.腫瘤體積難以確定
A.核素符號(hào)
B.核素符號(hào),輻射線的平均能量
C.輻射線的平均能量,半衰期
D.半衰期,核素符號(hào)
E.核素符號(hào),輻射線的平均能量,半衰期
A.G=Rp/(Rq-Rp)
B.G=Rp/(Rq+Rp)
C.G=Rp/(Rp-Rq)
D.G=Rq/(Rq-Rp)
E.G=Rq/(Rq+Rp)
最新試題
百分深度劑量受照射野面積的影響。
隨能量增大,光電效應(yīng)發(fā)生的概率迅速減小。
質(zhì)子束的優(yōu)勢在于布拉格峰形百分深度劑量分布。
源皮距越小,百分深度劑量越大。
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動(dòng)能率相等。
關(guān)于曼徹斯特系統(tǒng)的描述錯(cuò)誤的是()。
帶電粒子與物質(zhì)的一次相互作用可以損失其能量的全部或很大一部分。
準(zhǔn)直器所產(chǎn)生的散射線對(duì)劑量的貢獻(xiàn)主要源于二級(jí)準(zhǔn)直器。
對(duì)重離子,線性碰撞本領(lǐng)是選擇組織替代材料的首要條件。
檢查燈光野與射野的一致性通常用膠片法。