A.斯德哥爾摩系統(tǒng)
B.巴黎系統(tǒng)
C.曼徹斯特系統(tǒng)
D.北京系統(tǒng)
E.分次模擬系統(tǒng)
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A.正交技術(shù)
B.立體平移技術(shù)
C.立體交角技術(shù)
D.立體斜交技術(shù)
E.旋轉(zhuǎn)技術(shù)
A.只適合治療表淺腫瘤
B.適合治療偏體位一側(cè)的病變
C.靶區(qū)劑量均勻
D.靶區(qū)后正常組織劑量小
E.劑量跌落較緩
A.R85/2
B.U90/50
C.L90/L50
D.P80/20
E.U80/20
A.明尼蘇達(dá)大學(xué)醫(yī)院
B.斯坦福大學(xué)醫(yī)學(xué)院
C.洛杉磯大學(xué)醫(yī)學(xué)院
D.波士頓大學(xué)醫(yī)學(xué)院
E.約翰霍普金斯大學(xué)附屬醫(yī)院
A.TAR
B.TMR
C.BSF
D.SAR
E.PDD
最新試題
低LET射線的RBE值()1.0,高LET射線的RBE值()2.0。
關(guān)于曼徹斯特系統(tǒng)的描述錯(cuò)誤的是()。
電離室型劑量?jī)x在每次測(cè)量前必需對(duì)氣溫和氣壓進(jìn)行修正。
α/β不僅代表了細(xì)胞存活曲線的曲度,也代表了細(xì)胞對(duì)亞致死損傷的修復(fù)能力。
百分深度劑量受照射野面積的影響。
源皮距越小,百分深度劑量越大。
電磁掃描調(diào)強(qiáng)不僅具有X 射線光子的利用率高、治療時(shí)間短的優(yōu)點(diǎn),而且可實(shí)現(xiàn)電子束、質(zhì)子束的調(diào)強(qiáng)治療。
準(zhǔn)直器所產(chǎn)生的散射線對(duì)劑量的貢獻(xiàn)主要源于二級(jí)準(zhǔn)直器。
光電效應(yīng)時(shí)入射X(γ)光子的能量一部分轉(zhuǎn)化為次級(jí)電子動(dòng)能,另一部分為特征X 射線能量。
“4R”描述的是影響腫瘤和正常組織的輻射生物效應(yīng)因素。