單項選擇題腫瘤組織內(nèi)的克隆源性細胞數(shù)，通常用腫瘤的（）表示。
A.SF2
B.Tpot
C.T分期
D.N分期
E.M分期
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1.單項選擇題巴黎系統(tǒng)規(guī)定，單平面插植最多使用9根放射源，三角形雙平面插植最多也使用9根放射源，而正方形排列為（）根放射源。
A.8
B.9
C.10
D.11
E.12
2.單項選擇題關(guān)于巴黎系統(tǒng)的插植基本規(guī)則，描述錯誤的是（）
A.所有的放射源的線比釋動能率相等
B.放射源是相互平行的直線源
C.插植時各直線源強度及長度相等
D.各源的中心在同一平面，即中心平面
E.多平面插植放射源排列為長方形或等邊三角形
3.單項選擇題曼徹斯特系統(tǒng)規(guī)定，輻射平面的面積決定周邊源與中心源強度之比，當面積小于25cm2時，二者的比值是（）
A.1/4
B.1/3
C.1/2
D.2/3
E.4/5
4.單項選擇題曼徹斯特系統(tǒng)規(guī)定，若放射源不能形成封閉的輻射平面，則治療的面積會有所減少，一般單側(cè)無交叉，面積減少（）
A.5%
B.10%
C.15%
D.20%
E.25%
5.單項選擇題采用等中心方法，拍攝兩張互相垂直的影象片，此種放射源的定位技術(shù)稱為（）
A.正交技術(shù)
B.立體平移技術(shù)
C.立體交角技術(shù)
D.立體斜交技術(shù)
E.旋轉(zhuǎn)技術(shù)
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帶電粒子與物質(zhì)的一次相互作用可以損失其能量的全部或很大一部分。
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