單項(xiàng)選擇題巴黎系統(tǒng)規(guī)定，以平均中心劑量為基準(zhǔn)劑量，則定義（）的基準(zhǔn)劑量為參考劑量。
A.70%
B.75%
C.80%
D.85%
E.90%
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1.單項(xiàng)選擇題巴黎系統(tǒng)是以（）線狀放射源的物理特性所建立的。
A.鐳-226
B.銥-192
C.銫-137
D.碘125
E.鈷-60
2.單項(xiàng)選擇題曼徹斯特系統(tǒng)規(guī)定，當(dāng)治療厚度大于（）時(shí)，需要用雙平面插植。
A.0.5cm
B.1.0cm
C.1.5cm
D.2.0cm
E.2.5cm
3.單項(xiàng)選擇題低劑量率照射時(shí)，若間斷時(shí)間超過(guò)總治療時(shí)間的（）會(huì)被認(rèn)為是分次照射？
A.1%
B.5%
C.10%
D.20%
E.50%
4.單項(xiàng)選擇題最小靶劑量與平均中心劑量的比值定義的是（）
A.劑量均勻性指數(shù)
B.最小劑量離散度
C.平均中心劑量
D.坪劑量區(qū)
E.參考區(qū)劑量
5.單項(xiàng)選擇題近距離照射計(jì)劃設(shè)計(jì)中規(guī)定：高劑量區(qū)定義為中心平面內(nèi)或平行于中心平面的任何平面內(nèi)（）平均中心劑量曲線所包括的體積。
A.50%
B.90%
C.100%
D.120%
E.150%
最新試題
α/β不僅代表了細(xì)胞存活曲線的曲度，也代表了細(xì)胞對(duì)亞致死損傷的修復(fù)能力。
題型：判斷題
光電效應(yīng)時(shí)入射X（γ）光子的能量一部分轉(zhuǎn)化為次級(jí)電子動(dòng)能，另一部分為特征X 射線能量。
題型：判斷題
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動(dòng)能率相等。
題型：判斷題
電磁掃描調(diào)強(qiáng)不僅具有X 射線光子的利用率高、治療時(shí)間短的優(yōu)點(diǎn)，而且可實(shí)現(xiàn)電子束、質(zhì)子束的調(diào)強(qiáng)治療。
題型：判斷題
源皮距越小，百分深度劑量越大。
題型：判斷題
帶電粒子與物質(zhì)的一次相互作用可以損失其能量的全部或很大一部分。
題型：判斷題
“4R”描述的是影響腫瘤和正常組織的輻射生物效應(yīng)因素。
題型：判斷題
對(duì)加速器射野的對(duì)稱性和平坦度的檢查應(yīng)每月兩次。
題型：判斷題
關(guān)于組織補(bǔ)償?shù)拿枋?，錯(cuò)誤的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
射野中心軸上百分深度劑量值的大小直接反應(yīng)了射線質(zhì)（能量）的高低。
題型：判斷題