A.發(fā)射點(diǎn)
B.偏轉(zhuǎn)點(diǎn)
C.散射點(diǎn)
D.虛源
E.參考點(diǎn)
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A.R85/2
B.U90/50
C.L90/L50
D.P80/20
E.U80/20
A.隨深度增加,低值等劑量線向外側(cè)擴(kuò)張
B.隨深度增加,高值等劑量線向外側(cè)擴(kuò)張
C.隨深度減小,低值等劑量線向外側(cè)擴(kuò)張
D.隨深度減小,高值等劑量線向外側(cè)擴(kuò)張
E.等劑量線不隨電子束能量而變化
A.隨深度增加,等劑量線向外側(cè)擴(kuò)張
B.電子束入射距離較遠(yuǎn)
C.電子束入射能量較高
D.電子束中包含一定數(shù)量的X射線
E.電子束在其運(yùn)動(dòng)徑跡上不易被散射
A.1-1.5
B.1.5-2
C.2-2.5
D.2.5-3
E.3-3.5
A.收縮電子束
B.展寬電子束
C.降低射野邊緣劑量
D.使射線束變得更陡峭
E.消除X射線污染
最新試題
低LET射線的RBE值()1.0,高LET射線的RBE值()2.0。
目前靶區(qū)劑量的精確性規(guī)定應(yīng)達(dá)到()。
關(guān)于組織補(bǔ)償?shù)拿枋?,錯(cuò)誤的是()。
等效射野指的是通過(guò)計(jì)算換算后的方形野。
質(zhì)子束的優(yōu)勢(shì)在于布拉格峰形百分深度劑量分布。
準(zhǔn)直器所產(chǎn)生的散射線對(duì)劑量的貢獻(xiàn)主要源于二級(jí)準(zhǔn)直器。
帶電粒子入射到物體時(shí),沒(méi)有確定的射程。
電磁掃描調(diào)強(qiáng)不僅具有X 射線光子的利用率高、治療時(shí)間短的優(yōu)點(diǎn),而且可實(shí)現(xiàn)電子束、質(zhì)子束的調(diào)強(qiáng)治療。
源皮距越小,百分深度劑量越大。
對(duì)重離子,線性碰撞本領(lǐng)是選擇組織替代材料的首要條件。