A.雙總線結構
B.單總線結構
C.三總線結構
D.以上都正確
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A.1:2
B.2:1
C.6:5
D.5:6
A.鏈式查詢方式
B.計數(shù)器定時查詢方式
C.獨立請求方式
D.獨立請求方式和計數(shù)定時查詢方式
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最新試題
已知X=10111001,Y=-00101011,求[X +Y]補,正確結果為()。
在堆棧計算機中,保存操作數(shù)和運算結果的唯一場所是()。
動態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極()來存儲信息的。
已知定點小數(shù)的真值X=-0.1001,Y=0.1101,求[X -Y]補,正確結果為()。
在計算機存儲層次結構中,以下哪種存儲器技術能同時具備高速訪問、低功耗和大容量?()
RAM記憶單元從6管變到4管,在保持狀態(tài)時沒有外加電源供電,使得RAM成為了()。
從6管的SRAM記憶單元到單管的DRAM記憶單元,有利于提高()。
從給定的選項中選擇你認為正確的一項。A.微指令地址B.控制存儲器C.微指令寄存器D.微程序控制器E.硬連線控制器F.簡單G.復雜(1)微程序控制器是通過()的銜接區(qū)分指令執(zhí)行步驟的。(2)微程序控制器的控制信號被讀出后,還需經(jīng)過一個()送到被控制部件。(3)相對硬連線控制器,微程序控制器的設計與實現(xiàn)()。(4)為了獲得快一些的運行速度,控制器部件應選擇()。(5)()是微程序控制器的核心部件。
計算機的I/O接口是()之間的交接界面。
由硬件實現(xiàn)的功能改由軟件模擬來實現(xiàn)的做法被稱為()