以下哪個(gè)MOS放大器組態(tài)結(jié)構(gòu)最適合用在電壓信號(hào)處理系統(tǒng)的最后一級(jí)？?（）

?若某放大器的輸入信號(hào)為電壓信號(hào)，輸出信號(hào)為電流信號(hào)，則以下描述正確的有（）。?

?MOSFET源極漏極間的長度L越大，溝道長度調(diào)制效應(yīng)越明顯。???

?CD放大器的性能特征有（）。?

現(xiàn)在定義了一個(gè)1位的加法器addbit（ci，a，b，co，sum），模塊的結(jié)果用表達(dá)式表示為{co，sub}=a+b+ci，其中a，b為兩個(gè)加數(shù)，ci為來自低位的進(jìn)位，sum為和，co為向高位的進(jìn)位，如果以此1位加法器構(gòu)建四位加法器，同時(shí)定義頂層模塊中的端口信號(hào)和中間變量的定義：下面通過層次調(diào)用的方式進(jìn)行邏輯實(shí)現(xiàn)中的表達(dá)式正確的是（）。

假設(shè)NEMOSFET已工作在飽和區(qū)，若uDS繼續(xù)增大時(shí)，溝道夾斷點(diǎn)向漏極移動(dòng)。

?數(shù)字頻率計(jì)采用4個(gè)數(shù)字的BCD碼計(jì)數(shù)器，若采樣時(shí)間0.01s，那么它能夠測量的最大頻率是多少？（）

?某次電路實(shí)驗(yàn)中，一同學(xué)按如下電路圖連接電路，完成實(shí)驗(yàn)。其中D0，D1端為輸入端，S0與S1為輸出端。在實(shí)驗(yàn)過程中，該同學(xué)觀測到輸出端S0，S1端輸出電平分別為邏輯高電平，邏輯低電平。請(qǐng)問此刻電路輸入端D0，D1電平可能分別為（）。

?5.1K±5%歐姆的五環(huán)電阻的色環(huán)序列為（）。

?TTL或非門組成的邏輯電路如圖所示，當(dāng)輸入為以下哪種狀態(tài)時(shí)會(huì)出現(xiàn)冒險(xiǎn)現(xiàn)象？（）