A.自由電子
B.空穴
C.束縛電子
D.晶格上的離子
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A.自由電子
B.空穴
C.束縛電子
D.晶格上的離子
A.自由電子、空穴、位于晶格上的離子
B.無論P型還是N型半導(dǎo)體,自由電子、空穴都是導(dǎo)電介質(zhì)
C.對于P型半導(dǎo)體,空穴是唯一的導(dǎo)電介質(zhì)
D.對于N型半導(dǎo)體,空穴是唯一的導(dǎo)電介質(zhì)
A.環(huán)境溫度降低
B.摻雜金屬元素
C.增大環(huán)境光照強度
D.摻雜非金屬元素
A.升高/升高
B.降低/降低
C.升高/降低
D.降低/升高
A.只存在一種載流子:自由電子
B.在二極管中,N型半導(dǎo)體一側(cè)接出引線后,是二極管的正極
C.在純凈的硅襯底上,分散三價元素,可形成N型半導(dǎo)體
D.在PNP型的晶體管中,基區(qū)正是由N型半導(dǎo)體構(gòu)成
最新試題
關(guān)于晶閘管應(yīng)用的下列說法錯誤的是()。
當(dāng)邏輯變量A=1、B=0、C=1時,求邏輯函數(shù)的值為()。
可控硅關(guān)斷的條件是()。
可控硅導(dǎo)通的條件是()。
晶體管具有電流放大能力,而放大能源來自于放大電路中的()。
在三極管基本放大電路中,測試發(fā)現(xiàn)靜態(tài)工作點已經(jīng)設(shè)置在放大區(qū)中央部分,但同時出現(xiàn)截止和飽和失真。這說明()。
當(dāng)邏輯變量A=1、B=1、C=1時,求邏輯函數(shù)Y=A+B+C的值為()。
晶閘管的結(jié)構(gòu)是()。
關(guān)于晶閘管的下列說法錯誤的是()。
集成運放的兩個信號輸入端分別為()。