用作存儲(chǔ)器的芯片有不同的類(lèi)型??呻S機(jī)讀寫(xiě),且只要不斷電則其中存儲(chǔ)的信息就可一直保存的,稱(chēng)為(1);可隨機(jī)讀寫(xiě),但即使在不斷電的情況下其存儲(chǔ)信息也要定時(shí)刷新才不致丟失的是(2):所存信息由生產(chǎn)廠家用掩膜技術(shù)寫(xiě)好后就無(wú)法再改變的稱(chēng)為(3);通過(guò)紫外線(xiàn)照射后可擦除所有信息,然后重新寫(xiě)入新的信息并可多次進(jìn)行的是(4);通過(guò)電信號(hào)可在數(shù)秒內(nèi)快速刪除全部信息,但不能進(jìn)行字節(jié)級(jí)別刪除操作的是(5)。
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A.EPROM
B.PROM
C.ROM
D.CDROM
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B.PROM
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用作存儲(chǔ)器的芯片有不同的類(lèi)型??呻S機(jī)讀寫(xiě),且只要不斷電則其中存儲(chǔ)的信息就可一直保存的,稱(chēng)為(1);可隨機(jī)讀寫(xiě),但即使在不斷電的情況下其存儲(chǔ)信息也要定時(shí)刷新才不致丟失的是(2):所存信息由生產(chǎn)廠家用掩膜技術(shù)寫(xiě)好后就無(wú)法再改變的稱(chēng)為(3);通過(guò)紫外線(xiàn)照射后可擦除所有信息,然后重新寫(xiě)入新的信息并可多次進(jìn)行的是(4);通過(guò)電信號(hào)可在數(shù)秒內(nèi)快速刪除全部信息,但不能進(jìn)行字節(jié)級(jí)別刪除操作的是(5)。
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A.RAM
B.VRAM
C.DRAM
D.SRAM
用作存儲(chǔ)器的芯片有不同的類(lèi)型??呻S機(jī)讀寫(xiě),且只要不斷電則其中存儲(chǔ)的信息就可一直保存的,稱(chēng)為(1);可隨機(jī)讀寫(xiě),但即使在不斷電的情況下其存儲(chǔ)信息也要定時(shí)刷新才不致丟失的是(2):所存信息由生產(chǎn)廠家用掩膜技術(shù)寫(xiě)好后就無(wú)法再改變的稱(chēng)為(3);通過(guò)紫外線(xiàn)照射后可擦除所有信息,然后重新寫(xiě)入新的信息并可多次進(jìn)行的是(4);通過(guò)電信號(hào)可在數(shù)秒內(nèi)快速刪除全部信息,但不能進(jìn)行字節(jié)級(jí)別刪除操作的是(5)。
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A.RAM
B.VRAM
C.DRAM
D.SRAM
A.16
B.20
C.24
D.32
3個(gè)可靠度R均為0.8的部件串聯(lián)構(gòu)成一個(gè)系統(tǒng),如圖1-19所示。則該系統(tǒng)的可靠度為()
A.0.240
B.0.512
C.0.800
D.0.992
最新試題
16位二進(jìn)制原碼所能表示的范圍為(),16位反碼所能表示的范圍為(),16位補(bǔ)碼所能表示的范圍為()。
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比較頁(yè)式虛擬存儲(chǔ)器和段式虛擬存儲(chǔ)器的優(yōu)缺點(diǎn)。
漢字編碼中字形碼是漢字的輸出方式,它的兩種表示方式是()和()。
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計(jì)算機(jī)容錯(cuò)技術(shù)是指采用冗余方法消除故障影響,一般有()和()兩種方法。
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假設(shè)某計(jì)算機(jī)中用一個(gè)字節(jié)表示一個(gè)數(shù),那么數(shù)-117的原碼是()反碼是()補(bǔ)碼是(),-117與小于等于()的數(shù)相加會(huì)產(chǎn)生溢出。
計(jì)算機(jī)一般采用三層存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu),分別指()()和()。