A.TTL集成門電路的電源電壓比CMOS集成門電路的電源電壓范圍寬。
B.TTL集成門電路的功耗比CMOS集成門電路的功耗低。
C.TTL與非門的輸入端可以懸空,CMOS與非門的輸入端不可以懸空。
D.TTL與非門和CMOS與非門的輸入端都可以懸空。
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A.電壓傳輸特性
B.輸入特性
C.輸出特性
D.動態(tài)特性
A.結(jié)構(gòu)簡單、成本低
B.輸出的高低電平數(shù)值和輸入高、低電平數(shù)值不相等
C.帶負(fù)載能力差
D.帶負(fù)載能力強(qiáng)
A.邏輯符號
B.功能表
C.真值表
D.狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖
A.TTL集成電路
B.PMOS集成電路
C.NMOS集成電路
D.CMOS集成電路
A.晶體二極管
B.晶體三極管
C.MOS晶體管
D.電阻
最新試題
用1M×4的DRAM芯片通過()擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲器。
兩個與非門構(gòu)成的基本RS觸發(fā)器,當(dāng)Q=1、Q=0時,兩個輸入信號R=1和S=1。觸發(fā)器的輸出Q會()。
采用浮柵技術(shù)的EPROM中存儲的數(shù)據(jù)是()可擦除的。
具有“有1出0、全0出1”功能的邏輯門是()
電可擦除的PROM器件是()
雙積分型數(shù)字電壓表是否需要取樣-保持電路?請說明理由。
一個16選一的數(shù)據(jù)選擇器,其地址輸入(選擇控制輸入)端有()個。
利用2個74LS138和1個非門,可以擴(kuò)展得到1個()線譯碼器。
試提出數(shù)字頻率計(jì)的三種設(shè)計(jì)方案,比較各種方案的特點(diǎn)。如果用HDPLD來實(shí)現(xiàn),設(shè)計(jì)方案是最佳嗎?簡述理由。
TTL與非門輸出低電平的參數(shù)規(guī)范值是()