A.狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖
B.特性方程
C.卡諾圖
D.數(shù)理方程
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A.計(jì)數(shù)器
B.移位寄存器
C.全加器
D.序列信號(hào)檢測(cè)器
A.8
B.4
C.3
D.2
A.0111
B.0110
C.1000
D.0011
A.10個(gè)CP脈沖,正脈沖寬度為1個(gè)CP周期
B.10個(gè)CP脈沖,正脈沖寬度為2個(gè)CP周期
C.10個(gè)CP脈沖,正脈沖寬度為4個(gè)CP周期
D.10個(gè)CP脈沖,正脈沖寬度為8個(gè)CP周期
A.只能用反饋復(fù)位法清零
B.只能用修改驅(qū)動(dòng)方程的方法
C.必須用反饋復(fù)位法清零并修改驅(qū)動(dòng)方程
D.可以采用反饋復(fù)位法(置位法),也可以采用修改驅(qū)動(dòng)方程的方法保證電路能白行啟動(dòng)。
最新試題
()在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用,其中一個(gè)重要用途是構(gòu)成數(shù)據(jù)總線。
簡(jiǎn)述用譯碼器或多路選擇器實(shí)現(xiàn)組合邏輯電路的不同之處。
小容量RAM內(nèi)部存儲(chǔ)矩陣的字?jǐn)?shù)與外部地址線數(shù)n的關(guān)系一般為()
電可擦除的PROM器件是()
采用浮柵技術(shù)的EPROM中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是()可擦除的。
DRAM4164有2根片選線(RAS和CAS)、8根地址線和1根數(shù)據(jù)線。請(qǐng)判斷它的存儲(chǔ)容量為多少?
若停電數(shù)分鐘后恢復(fù)供電,()中的信息能夠保持不變。
TTL與非門(mén)閾值電壓UT的典型值是()
ROM可以用來(lái)存儲(chǔ)程序、表格和大量固定數(shù)據(jù),但它不可以用來(lái)實(shí)現(xiàn)()。
以下哪個(gè)編碼不能是二-十進(jìn)制譯碼器的輸入編碼()