A.TTL
B.CMOS
B.NMOS
D.PMOS
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A.輸出電壓與輸入電壓之間的關(guān)系數(shù)
B.輸iU電壓與輸入電流之間的關(guān)系數(shù)
C.輸出端能帶同類門的今個數(shù)
D.輸入端數(shù)
A.互為反函數(shù)
B.互為對偶式
B.相等
D.答案都不正確
A.倒相
B.邏輯乘
C.提高帶負載能力
D.提高抗干擾能力
A.原子和中子
B.電子和空穴
C.電子和質(zhì)子
D.電子和離子
A.發(fā)射結(jié)正偏置，集電結(jié)反偏置
B.發(fā)射結(jié)正偏置，集電結(jié)正偏置
C.發(fā)射結(jié)反偏置，集電結(jié)正偏置
D.發(fā)射結(jié)反偏置，集電結(jié)反偏置
最新試題
兩個與非門構(gòu)成的基本RS觸發(fā)器，當Q=1、Q=0時，兩個輸入信號R=1和S=1。觸發(fā)器的輸出Q會（）。
TTL與非門輸出低電平的參數(shù)規(guī)范值是（）
要使JK觸發(fā)器的輸出Q從1就成0，它的輸入信號JK就為（）。
ROM可以用來存儲程序、表格和大量固定數(shù)據(jù)，但它不可以用來實現(xiàn)（）。
DRAM4164有2根片選線（RAS和CAS）、8根地址線和1根數(shù)據(jù)線。請判斷它的存儲容量為多少？
什么是觸發(fā)器的不定狀態(tài)，如何避免不定狀態(tài)的出現(xiàn)？
7系列EPROM存儲的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。
如要將一個最大幅度為5.1V的模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號，要求輸入每變化20mV，輸出信號的最低位（LSB）發(fā)生變化，應選用（）位ADC。
雙積分型數(shù)字電壓表是否需要取樣-保持電路？請說明理由。
試提出數(shù)字頻率計的三種設(shè)計方案，比較各種方案的特點。如果用HDPLD來實現(xiàn)，設(shè)計方案是最佳嗎？簡述理由。