單項(xiàng)選擇題TTL門電路的開門電阻的典型值為（）。
A.3kΩ
B.2kΩ
C.700Ω
D.300Ω
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1.單項(xiàng)選擇題用三態(tài)門可以實(shí)現(xiàn)“總線”連接，但其“使能”控制端應(yīng)為（）。
A.固定接0
B.固定接1
C.同時(shí)使能
D.分時(shí)使能
2.單項(xiàng)選擇題TTL電路中，能實(shí)現(xiàn)“線與”邏輯（）。
A.異或門
B.OC門
C.TS門
D.與或非門
3.單項(xiàng)選擇題某集成電路封裝內(nèi)集成有4個(gè)與非門，它們輸出全為高電平時(shí)，測得5V電源端的電流為8mA，輸出全為0時(shí)，測得5v電源端的電流為16mA，該TTL與非門的功耗為（）mW。
A.30
B.20
C.15
D.10
4.單項(xiàng)選擇題TTL與非門高電平輸出電流IOH的參數(shù)規(guī)范值是（）·
A.200uA
B.400uA
C.800uA
D.1000uA
5.單項(xiàng)選擇題TTL與非門低電平輸出電流IOL的參數(shù)規(guī)范值是（）。
A.20uA
B.40uA
C.1.6mA
D.16mA
最新試題
以下哪個(gè)編碼不能是二－十進(jìn)制譯碼器的輸入編碼（）
題型：單項(xiàng)選擇題
（）在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用，其中一個(gè)重要用途是構(gòu)成數(shù)據(jù)總線。
題型：單項(xiàng)選擇題
DRAM4164有2根片選線（RAS和CAS）、8根地址線和1根數(shù)據(jù)線。請判斷它的存儲(chǔ)容量為多少？
題型：問答題
10-4線優(yōu)先編碼器允許同時(shí)輸入（）路編碼信號(hào)。
題型：單項(xiàng)選擇題
采用浮柵技術(shù)的EPROM中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。
題型：單項(xiàng)選擇題
如要將一個(gè)最大幅度為5.1V的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)，要求輸入每變化20mV，輸出信號(hào)的最低位（LSB）發(fā)生變化，應(yīng)選用（）位ADC。
題型：單項(xiàng)選擇題
基本RS觸發(fā)器的輸入直接控制其輸出狀態(tài)，所以它不能被稱為（）觸發(fā)器。
題型：單項(xiàng)選擇題
用1M×4的DRAM芯片通過（）擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲(chǔ)器。
題型：單項(xiàng)選擇題
簡述用譯碼器或多路選擇器實(shí)現(xiàn)組合邏輯電路的不同之處。
題型：問答題
什么是觸發(fā)器的空翻現(xiàn)象，如何避免空翻？
題型：問答題