A、產(chǎn)生射線照相底片對(duì)比度低
B、不可能檢出大缺陷
C、產(chǎn)生射線照相底片不清晰
D、產(chǎn)生發(fā)灰的射線照片
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A、35%~-60%之間
B、60%~90%之間
C、50%~75%之間
D、50%~60%之間
A、產(chǎn)生白色斑點(diǎn)
B、出現(xiàn)樹枝狀的輕微條痕
C、發(fā)生灰霧
D、藥膜脫落
A、平放
B、直立
C、堆放
D、任意放置
A、鉛增感屏?xí)a(chǎn)生可見光和熒光
B、鉛屏可吸收散射線
C、防止背散射造成膠片灰霧
D、鉛屏受X射線和γ射線照射會(huì)發(fā)生二次電子
A、較黑斑塊顯示
B、較白斑塊顯示
C、無(wú)顯示
D、以上任何一種
最新試題
對(duì)于接觸法只須將能使缺陷落在其遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)內(nèi)的縱波直探頭在試件表面移動(dòng),即可獲得缺陷的()所在的位置,從而定出缺陷的平面位置。
當(dāng)缺陷面積大于聲束截面時(shí),如果聲束軸線移到缺陷邊緣,缺陷波高約為聲束軸線在缺陷中部時(shí)波高的()
渦流探傷中平底盲孔缺陷對(duì)于管壁的()具有較好的代表性,因此在在役管材的渦流檢測(cè)中較多采用。
渦流檢測(cè)線圈的互感線圈一般由()構(gòu)成。
渦流檢測(cè)輔助裝置的試樣傳動(dòng)裝置在()材生產(chǎn)線上的應(yīng)用最為廣泛。
鑄件超聲檢測(cè)的特點(diǎn)是常采用低頻聲被以減輕衰減和散射,相應(yīng)的可檢缺陷尺寸()
對(duì)于圓盤形試件,常沿()在圓面上進(jìn)行掃查。
缺陷檢測(cè)即通常所說(shuō)的渦流探傷主要影響因素包括()、電導(dǎo)率、磁導(dǎo)率、邊條效應(yīng)、提離效應(yīng)等。
當(dāng)波束中心線與缺陷面()且回波最()時(shí),移動(dòng)探頭使波束中心(),回波高度當(dāng)隨之下降。
在聲束垂直試件表面時(shí),所獲得的()反射波高可能并不是可獲得的最大反射波高。