A、波幅增益量
B、缺陷當(dāng)量尺寸
C、距離
D、以上都不對(duì)
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A、遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)
B、近場(chǎng)區(qū)
C、過(guò)渡區(qū)
D、陰影區(qū)
A、大于實(shí)際尺寸
B、小于實(shí)際尺寸
C、接近實(shí)際尺寸
D、有較大誤差
A、近場(chǎng)區(qū)
B、擴(kuò)散區(qū)
C、非擴(kuò)散區(qū)
D、盲區(qū)
A、表面波
B、板波
C、疏密波
D、剪切波
A、障礙物對(duì)超聲波的傳播幾乎沒(méi)有影響
B、波到達(dá)障礙物后形成新的波源向四周發(fā)射
C、超聲波將發(fā)生反射、折射和透射
D、有如射波的反射和透射
最新試題
各類(lèi)渦流檢測(cè)儀器的工作原理和()是相同的。
渦流檢測(cè)輔助裝置的試樣傳動(dòng)裝置在()材生產(chǎn)線(xiàn)上的應(yīng)用最為廣泛。
掃描儀器的掃查的間距通常根據(jù)探頭的最小聲束(),保證兩次掃查之間有一定比例的覆蓋。
缺陷檢測(cè)即通常所說(shuō)的渦流探傷主要影響因素包括()、電導(dǎo)率、磁導(dǎo)率、邊條效應(yīng)、提離效應(yīng)等。
缺陷愈大,所遮擋的聲束也愈多,底波波高也就愈低,這就有可能用缺陷波高與底波波高之比來(lái)表示缺陷的()
在聲束垂直試件表面時(shí),所獲得的()反射波高可能并不是可獲得的最大反射波高。
渦流檢測(cè)線(xiàn)圈的自感式線(xiàn)圈由()構(gòu)成。
渦流檢測(cè)輔助裝置的試樣傳動(dòng)裝置用于形狀規(guī)則產(chǎn)品的()
渦流檢測(cè)中的對(duì)比試樣的()和材質(zhì)相對(duì)被檢測(cè)產(chǎn)品必須具有代表性。
用于測(cè)量黑光強(qiáng)度的現(xiàn)代黑光輻射照度計(jì),其探頭(傳感器)的光敏組件的前面有(),只適用于測(cè)量黑光。