A、指向性
B、近場區(qū)
C、振速
D、入射
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A、正壓電效應(yīng)
B、逆壓電效應(yīng)
C、壓電常數(shù)
D、介電常數(shù)
A、1/2波長的整數(shù)倍時
B、1/2波長的奇數(shù)倍時
C、1/4波長的奇數(shù)倍時
D、1/4波長的整數(shù)倍時
A、tp=1+rp
B、R=rp2
C、D=1-rp2
D、以上都不對
A、(Z2-Z1)/(Z1+Z2)
B、2Z2/(Z1+Z2)
C、4Z1×Z2/(Z1+Z2)2
D、[(Z2-Z1)/(Z1+Z2)]2
A、1/2波長的整數(shù)倍時
B、1/2波長的奇數(shù)倍時
C、1/4波長的奇數(shù)倍時
D、1/4波長的整數(shù)倍時
最新試題
直接射向缺陷的波就是()
采用以()為橫坐標(biāo),以平底孔直徑標(biāo)注各當(dāng)量曲線作成實(shí)用AVG曲線。
缺陷檢測即通常所說的渦流探傷主要影響因素包括()、電導(dǎo)率、磁導(dǎo)率、邊條效應(yīng)、提離效應(yīng)等。
渦流檢測中的對比試樣的()和材質(zhì)相對被檢測產(chǎn)品必須具有代表性。
渦流檢測輔助裝置的試樣傳動裝置用于形狀規(guī)則產(chǎn)品的()
對于長條形試件,則常沿()作平行縱軸的直線式掃查。
在聲束垂直試件表面時,所獲得的()反射波高可能并不是可獲得的最大反射波高。
當(dāng)波束中心線與缺陷面()且回波最()時,移動探頭使波束中心(),回波高度當(dāng)隨之下降。
對于接觸法只須將能使缺陷落在其遠(yuǎn)場區(qū)內(nèi)的縱波直探頭在試件表面移動,即可獲得缺陷的()所在的位置,從而定出缺陷的平面位置。
渦流檢測線圈是在被檢測導(dǎo)電材料或零件表面及近表面激勵產(chǎn)生()