多項(xiàng)選擇題EMB5116 TD-LTE支持的頻段包括()。

A.A頻段
B.D頻段
C.E頻段
D.F頻段


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2.多項(xiàng)選擇題下列哪個(gè)或哪幾個(gè)不是EMB5116 TD-LTE的板卡?()

A.SCTE
B.ETPE
C.GEU
D.BPIA

3.多項(xiàng)選擇題基帶處理單元的功能有()。

A.實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)Ir接口
B.實(shí)現(xiàn)TD-LTE的MAC算法
C.實(shí)現(xiàn)TD-LTE物理層算法
D.實(shí)現(xiàn)EMB5116 TD-LTE的時(shí)鐘和同步碼流分發(fā)

4.單項(xiàng)選擇題EMB5116 TD-LTE主設(shè)備Ir接口使用的光模塊為()。

A.155Mbps
B.2.5Gbps
C.5Gbps
D.6Gbps

5.單項(xiàng)選擇題TDRU342E每通道的輸出功率為()。

A.20W
B.30W
C.40W
D.50W

最新試題

對(duì)于節(jié)假日和重大活動(dòng)網(wǎng)絡(luò)保障,應(yīng)提前對(duì)eNB運(yùn)行溫度進(jìn)行巡檢——單板運(yùn)行溫度應(yīng)不高于60攝氏度,超過(guò)70攝氏度的應(yīng)列為()處理。

題型:填空題

標(biāo)準(zhǔn)級(jí)CDL文件記錄該基站上所有的信令過(guò)程,故障級(jí)CDL文件在標(biāo)準(zhǔn)級(jí)CDL文件記錄內(nèi)容的基礎(chǔ)上,還包括()的消息。

題型:填空題

TD-LTE先對(duì)于TD-SCDMA系統(tǒng)的小區(qū)重選區(qū)別在于引入了()。

題型:填空題

切換過(guò)程可以采用競(jìng)爭(zhēng)接入過(guò)程也可以采用非競(jìng)爭(zhēng)接入過(guò)程。()

題型:判斷題

所謂網(wǎng)絡(luò)優(yōu)化,就是根據(jù)系統(tǒng)的()和(),對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行分析,并通過(guò)對(duì)網(wǎng)絡(luò)資源和系統(tǒng)參數(shù)的調(diào)整,使系統(tǒng)性能逐步得到改善,達(dá)到系統(tǒng)現(xiàn)有配置條件下的最優(yōu)服務(wù)質(zhì)量。

題型:填空題

TD-LTE系統(tǒng)中,攜帶公共無(wú)線資源配置的系統(tǒng)消息是()。

題型:填空題

在算干擾余量時(shí)不用考慮系統(tǒng)負(fù)載。()

題型:判斷題

基站的噪聲系數(shù)一般為()dB,而終端一般為()dB。

題型:填空題

TD-LTE網(wǎng)絡(luò)容量規(guī)劃必須通過(guò)()獲得。

題型:填空題

切換過(guò)程可以采用競(jìng)爭(zhēng)接入過(guò)程也可以采用()接入過(guò)程。

題型:填空題