在下圖中如果輸入輸出均有電容耦合，則將RG的阻值由10MΩ替換為1MΩ時(shí)，柵極直流電壓將會(huì)（），漏極直流電流將會(huì)（），輸入電阻將會(huì)（）。

?在使用verilog描述一個(gè)二選一的數(shù)據(jù)選擇器時(shí)，使用一條語(yǔ)句來(lái)進(jìn)行描述assign out1=（sel &b）∣（~sel &a），這條語(yǔ)句對(duì)應(yīng)的是（）。

?5.1K±5%歐姆的五環(huán)電阻的色環(huán)序列為（）。

假設(shè)NEMOSFET已工作在飽和區(qū)，若uDS繼續(xù)增大時(shí)，溝道夾斷點(diǎn)向漏極移動(dòng)。

?TTL或非門(mén)組成的邏輯電路如圖所示，當(dāng)輸入為以下哪種狀態(tài)時(shí)會(huì)出現(xiàn)冒險(xiǎn)現(xiàn)象？（）

?verilog語(yǔ)法中，間隔符號(hào)主要包括（）。

CG放大器因其輸入電阻過(guò)小，因此沒(méi)什么用處。

?在verilogHDL的數(shù)字表達(dá)方式用，和十進(jìn)制數(shù)127表示的數(shù)字相同的表達(dá)方式有（）。

?電路如圖所示，如果電容C2開(kāi)路，則MOSFET的漏極直流電壓將會(huì)（），漏極交流電壓將會(huì)（），增益將會(huì)（）。

?MOSFET源極漏極間的長(zhǎng)度L越大，溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)越明顯。???