單項選擇題半導體二極管正向伏安（U-A）特性是一條（）。

A.過零點的直線
B.不過零點的直線
C.經(jīng)過零點的一條射線
D.近似一條指數(shù)線


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1.單項選擇題理想的功率放大電路應(yīng)工作于（）狀態(tài)。

A.甲類互補
B.乙類互補
C.甲乙類互補
D.丙類互補

3.單項選擇題

如圖所示的放大電路（）。

A.不能穩(wěn)定靜態(tài)工作點
B.能穩(wěn)定靜態(tài)工作點，但比無二極管D的電路效果要差
C.能穩(wěn)定靜態(tài)工作點且效果比無二極管D的電路更好

4.單項選擇題集成運放的電壓傳輸特性之中的線性運行部分的斜率愈陡，則表示集成運放的（）。

A.閉環(huán)放大倍數(shù)越大
B.開環(huán)放大倍數(shù)越大
C.抑制漂移的能力越強
D.對放大倍數(shù)沒有影響

5.單項選擇題

OTL功率放大電路如圖所示，該電路會產(chǎn)生（）。

A.飽和失真
B.頻率失真
C.交越失真

6.單項選擇題功率放大電路通常工作在（）。

A.大信號狀態(tài)
B.小信號狀態(tài)
C.脈沖信號狀態(tài)

7.單項選擇題NPN共射電路的Q點設(shè)置在接近于（）處將產(chǎn)生頂部失真。

A.截止區(qū)
B.飽和區(qū)
C.擊穿區(qū)
D.放大區(qū)

8.單項選擇題

某場效應(yīng)管的漏極特性曲線如圖所示，則該場效應(yīng)管為（）。

A.P溝道耗盡型MOS管
B.N溝道增強型MOS管
C.P溝道增強型MOS管
D.N溝道耗盡型MOS管

9.單項選擇題

某功率放大電路的工作狀態(tài)如下圖所示，靜態(tài)工作點Q靠近截止區(qū)，這種情況稱為（）。

A.甲類工作狀態(tài)
B.乙類工作狀態(tài)
C.甲乙類工作狀態(tài)