如圖10-74所示，真空中有一無限大帶電平板，其上電荷密度為σ，在與其相距x的A點處電場強度為（）。

在平行板電容器中，有兩層導(dǎo)電媒質(zhì)（圖10-81），它們的電導(dǎo)率分別是γ1=1×10-9S／m，γ2=1×10-8S／m，極板面積S=0．66m2，每層介質(zhì)厚度d=0．6cm，則電容器的漏電導(dǎo)G=（）S。

兩個平行帶電平板，每個平板的面積為S，相距d，且d＜＜S，兩板間填充介電系數(shù)為ε的介質(zhì)。這兩個帶電平板間的電容量是（）。

在圖10-85的區(qū)域中分布有兩種媒質(zhì)，它們的磁導(dǎo)率分別為μ1=4μ，μ2=3μ0，在外部作用下交界面上A點下部磁感應(yīng)強度為B2=12i+16j，則A點上部的磁感應(yīng)強度B1為（）。

在圖10-69所示電路中，開關(guān)S在t=0瞬間閉合，若uC（0-）=5V，則uL（0+）=（）V。

真空中有一個半徑為a的金屬球，其電容為（）。

在圖10-67所示電路中，開關(guān)S在位置1的時間常數(shù)為τ1，在位置2的時間常數(shù)為τ2，τ1和τ2的關(guān)系是（）。

如圖10-79所示，一個直徑為1m的球形金屬接地極，深埋于電導(dǎo)率為σ=1．91×10-2S／m的土壤中，該接地極的接地電阻為（）Ω。

如圖10-76所示，圖中平板電容器的上部空間填充介電系數(shù)為ε0的介質(zhì)，所對應(yīng)的極板面積為S0，下部介質(zhì)的介電系數(shù)為ε1，所對應(yīng)的極板面積為S1，極板的間距為d，該電容器的電容量為（）。

半徑R0=0．5m的半球形接地電極，淺埋于電導(dǎo)率為γ=1．91×10-2S／m的土壤中（圖10-82），該半球電極的接地電阻為（）Ω。