兩個(gè)平行帶電平板，每個(gè)平板的面積為S，相距d，且d＜＜S，兩板間填充介電系數(shù)為ε的介質(zhì)。這兩個(gè)帶電平板間的電容量是（）。

圖10-68所示電路在開(kāi)關(guān)S閉合后的時(shí)間常數(shù)r值為（）。

如圖10-72所示，真空中有一個(gè)半徑為a的帶電金屬球，其電荷量為q，帶電球內(nèi)的電場(chǎng)為（）。

如圖10-78所示，一個(gè)圓柱形電容器中有兩層同軸圓柱形均勻電介質(zhì)，內(nèi)導(dǎo)體半徑R1=1cm，外導(dǎo)體半徑R3=4cm，內(nèi)層介質(zhì)介電系數(shù)為ε1，厚度為1cm，外層介質(zhì)介電系數(shù)為ε2，厚度為2cm，內(nèi)外層導(dǎo)體間的電位差為1000V（以外導(dǎo)體為參考點(diǎn)）。假如兩層電介質(zhì)內(nèi)最大電場(chǎng)強(qiáng)度相等，則外層2介質(zhì)上的電位差為（）V。

圖10-66所示電路在達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)后移動(dòng)R1上的滑動(dòng)觸點(diǎn)，該電路將產(chǎn)生過(guò)渡過(guò)程。這是因?yàn)椋ǎ?/p>

半徑R0=0．5m的半球形接地電極，淺埋于電導(dǎo)率為γ=1．91×10-2S／m的土壤中（圖10-82），該半球電極的接地電阻為（）Ω。

圖10-65所示電路，當(dāng)開(kāi)關(guān)s在位置1時(shí)已達(dá)穩(wěn)定狀態(tài)，在t=0時(shí)刻將開(kāi)關(guān)s瞬間合到位置2，則在t>0后電流iC（）。

在圖10-85的區(qū)域中分布有兩種媒質(zhì)，它們的磁導(dǎo)率分別為μ1=4μ，μ2=3μ0，在外部作用下交界面上A點(diǎn)下部磁感應(yīng)強(qiáng)度為B2=12i+16j，則A點(diǎn)上部的磁感應(yīng)強(qiáng)度B1為（）。

真空中有一個(gè)半徑為a的金屬球，其電容為（）。

圖10-63所示電路u（0-）=0V，uC2（0-）=10V，當(dāng)t圖10-63題10-110圖=0時(shí)閉合開(kāi)關(guān)S后，uC2應(yīng)為（）V。以上各式中τ=2us。