順達(dá)公司擬在本省某開發(fā)區(qū)內(nèi)建設(shè)一座電子元器件廠。該省級(jí)開發(fā)區(qū)有集中的污水處理廠和供熱系統(tǒng)，其他環(huán)?；A(chǔ)設(shè)施也較完善，目前開發(fā)區(qū)污水處理廠的設(shè)計(jì)處理能力為10萬m³/d，實(shí)際處理能力為6.5萬m³/d。污水處理廠接管水質(zhì)要求為COD350mg/L、NH₃-N25mg/L、TP6mg/L，其他水質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)當(dāng)滿足《污水綜合排放標(biāo)準(zhǔn)》（GB8978-1996）表1及表4三級(jí)排放標(biāo)準(zhǔn)（氟化物20mg/L、總銅2.0mg/L、總砷0.5mg/L）。電子元器件生產(chǎn)以硅片為基材，經(jīng)氨水清洗、氫氟酸或硫酸蝕刻砷化氫摻雜、硫酸銅化學(xué)鍍等工序得到最終產(chǎn)品。其中摻雜工序和化學(xué)鍍工序流程如圖1所示。經(jīng)過工程分析可知，擬建項(xiàng)目在生產(chǎn)過程中產(chǎn)生的清洗廢水、蝕刻廢水、尾氣洗滌塔廢水、化學(xué)鍍廢水將經(jīng)過預(yù)處理后進(jìn)入中和池，中和池出水排入開發(fā)區(qū)污水處理廠，廢水預(yù)處理后的情況參見表1。氨水清洗工序產(chǎn)生的清洗廢水中含氨量為0.02%，為降低廢水中氨的濃度，擬采取熱交換吹脫法除氨，氨的吹脫效率80%，吹脫出的氨經(jīng)15m高排氣筒排放。《惡臭污染物排放標(biāo)準(zhǔn)》（GB14554-93）中規(guī)定：15m高排氣筒氨排放量限值為4.9kg/h。

順達(dá)公司擬在本省某開發(fā)區(qū)內(nèi)建設(shè)一座電子元器件廠。該省級(jí)開發(fā)區(qū)有集中的污水處理廠和供熱系統(tǒng)，其他環(huán)保基礎(chǔ)設(shè)施也較完善，目前開發(fā)區(qū)污水處理廠的設(shè)計(jì)處理能力為10萬m³/d，實(shí)際處理能力為6.5萬m³/d。污水處理廠接管水質(zhì)要求為COD350mg/L、NH₃-N25mg/L、TP6mg/L，其他水質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)當(dāng)滿足《污水綜合排放標(biāo)準(zhǔn)》（GB8978-1996）表1及表4三級(jí)排放標(biāo)準(zhǔn)（氟化物20mg/L、總銅2.0mg/L、總砷0.5mg/L）。電子元器件生產(chǎn)以硅片為基材，經(jīng)氨水清洗、氫氟酸或硫酸蝕刻砷化氫摻雜、硫酸銅化學(xué)鍍等工序得到最終產(chǎn)品。其中摻雜工序和化學(xué)鍍工序流程如圖1所示。經(jīng)過工程分析可知，擬建項(xiàng)目在生產(chǎn)過程中產(chǎn)生的清洗廢水、蝕刻廢水、尾氣洗滌塔廢水、化學(xué)鍍廢水將經(jīng)過預(yù)處理后進(jìn)入中和池，中和池出水排入開發(fā)區(qū)污水處理廠，廢水預(yù)處理后的情況參見表1。氨水清洗工序產(chǎn)生的清洗廢水中含氨量為0.02%，為降低廢水中氨的濃度，擬采取熱交換吹脫法除氨，氨的吹脫效率80%，吹脫出的氨經(jīng)15m高排氣筒排放?！稅撼粑廴疚锱欧艠?biāo)準(zhǔn)》（GB14554-93）中規(guī)定：15m高排氣筒氨排放量限值為4.9kg/h。

順達(dá)公司擬在本省某開發(fā)區(qū)內(nèi)建設(shè)一座電子元器件廠。該省級(jí)開發(fā)區(qū)有集中的污水處理廠和供熱系統(tǒng)，其他環(huán)保基礎(chǔ)設(shè)施也較完善，目前開發(fā)區(qū)污水處理廠的設(shè)計(jì)處理能力為10萬m³/d，實(shí)際處理能力為6.5萬m³/d。污水處理廠接管水質(zhì)要求為COD350mg/L、NH₃-N25mg/L、TP6mg/L，其他水質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)當(dāng)滿足《污水綜合排放標(biāo)準(zhǔn)》（GB8978-1996）表1及表4三級(jí)排放標(biāo)準(zhǔn)（氟化物20mg/L、總銅2.0mg/L、總砷0.5mg/L）。電子元器件生產(chǎn)以硅片為基材，經(jīng)氨水清洗、氫氟酸或硫酸蝕刻砷化氫摻雜、硫酸銅化學(xué)鍍等工序得到最終產(chǎn)品。其中摻雜工序和化學(xué)鍍工序流程如圖1所示。經(jīng)過工程分析可知，擬建項(xiàng)目在生產(chǎn)過程中產(chǎn)生的清洗廢水、蝕刻廢水、尾氣洗滌塔廢水、化學(xué)鍍廢水將經(jīng)過預(yù)處理后進(jìn)入中和池，中和池出水排入開發(fā)區(qū)污水處理廠，廢水預(yù)處理后的情況參見表1。氨水清洗工序產(chǎn)生的清洗廢水中含氨量為0.02%，為降低廢水中氨的濃度，擬采取熱交換吹脫法除氨，氨的吹脫效率80%，吹脫出的氨經(jīng)15m高排氣筒排放。《惡臭污染物排放標(biāo)準(zhǔn)》（GB14554-93）中規(guī)定：15m高排氣筒氨排放量限值為4.9kg/h。

順達(dá)公司擬在本省某開發(fā)區(qū)內(nèi)建設(shè)一座電子元器件廠。該省級(jí)開發(fā)區(qū)有集中的污水處理廠和供熱系統(tǒng)，其他環(huán)?；A(chǔ)設(shè)施也較完善，目前開發(fā)區(qū)污水處理廠的設(shè)計(jì)處理能力為10萬m³/d，實(shí)際處理能力為6.5萬m³/d。污水處理廠接管水質(zhì)要求為COD350mg/L、NH₃-N25mg/L、TP6mg/L，其他水質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)當(dāng)滿足《污水綜合排放標(biāo)準(zhǔn)》（GB8978-1996）表1及表4三級(jí)排放標(biāo)準(zhǔn)（氟化物20mg/L、總銅2.0mg/L、總砷0.5mg/L）。電子元器件生產(chǎn)以硅片為基材，經(jīng)氨水清洗、氫氟酸或硫酸蝕刻砷化氫摻雜、硫酸銅化學(xué)鍍等工序得到最終產(chǎn)品。其中摻雜工序和化學(xué)鍍工序流程如圖1所示。經(jīng)過工程分析可知，擬建項(xiàng)目在生產(chǎn)過程中產(chǎn)生的清洗廢水、蝕刻廢水、尾氣洗滌塔廢水、化學(xué)鍍廢水將經(jīng)過預(yù)處理后進(jìn)入中和池，中和池出水排入開發(fā)區(qū)污水處理廠，廢水預(yù)處理后的情況參見表1。氨水清洗工序產(chǎn)生的清洗廢水中含氨量為0.02%，為降低廢水中氨的濃度，擬采取熱交換吹脫法除氨，氨的吹脫效率80%，吹脫出的氨經(jīng)15m高排氣筒排放。《惡臭污染物排放標(biāo)準(zhǔn)》（GB14554-93）中規(guī)定：15m高排氣筒氨排放量限值為4.9kg/h。