A.100cGy
B.150cGy
C.180cGy
D.200cGy
E.250cGy
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A.介質(zhì)內(nèi)的吸收劑量隨介質(zhì)表面下的深度增加而減少,直到吸收劑量達(dá)到最小
B.介質(zhì)內(nèi)的吸收劑量隨介質(zhì)表面下的深度增加而增加,直到吸收劑量達(dá)到最大
C.介質(zhì)內(nèi)的吸收劑量隨介質(zhì)表面下的深度增加先增加然后減少,直到吸收劑量達(dá)到最小
D.介質(zhì)內(nèi)的吸收劑量隨介質(zhì)表面下的深度增加而增加,直到吸收劑量達(dá)到最小
E.介質(zhì)內(nèi)的吸收劑量隨介質(zhì)表面下的深度增加而減少,直到吸收劑量達(dá)到最大
A.介質(zhì)中某小區(qū)域的電子數(shù)目達(dá)到某種重量平衡
B.介質(zhì)中某小區(qū)域的電子逃不出該處從而使電子數(shù)目在一段時(shí)間內(nèi)固定不變
C.介質(zhì)中某小區(qū)域入射的電子數(shù)目與逃出該處的電子數(shù)目相同
D.介質(zhì)中某小區(qū)域次級(jí)電子帶走的入射光子貢獻(xiàn)的能量與入射該區(qū)的次級(jí)電子帶來的能量相等
E.介質(zhì)中電子數(shù)量達(dá)到某一數(shù)值,與另外一處數(shù)目相同
A.庫侖C.
B.倫琴(R)
C.戈瑞(Gy)
D.C/kg
E.拉德(raD.
A.光子釋放的次級(jí)電子被完全阻止時(shí),產(chǎn)生的離子電荷量與單位質(zhì)量空氣的比值
B.光子釋放的次級(jí)電子被完全阻止時(shí),產(chǎn)生的離子總電荷量與單位質(zhì)量空氣的比值
C.光子釋放的次級(jí)電子被完全阻止時(shí),產(chǎn)生的同一種符號(hào)的離子總電荷量與單位質(zhì)量空氣的比值
D.光子釋放的所有次級(jí)電子被完全阻止時(shí),產(chǎn)生的同一種符號(hào)的離子總電荷量與單位質(zhì)量空氣的比值
E.光子釋放的所有次級(jí)電子被完全阻止時(shí),產(chǎn)生的同一種符號(hào)的離子總電荷量的絕對(duì)值與單位質(zhì)量空氣的比值
A.電離粒子在介質(zhì)中釋放的初始動(dòng)能之積
B.電離粒子在介質(zhì)中釋放的帶電粒子與不帶電粒子的初始動(dòng)能之差
C.電離粒子在介質(zhì)中釋放的帶電粒子與不帶電粒子的初始動(dòng)能之商
D.不帶電電離粒子在介質(zhì)中釋放的全部帶電粒子初始動(dòng)能之和
E.電離粒子在介質(zhì)中釋放的初始動(dòng)能之和
最新試題
對(duì)60鈷的γ射線和加速器的6MV的X射線所使用的低熔點(diǎn)鉛厚度一般是()
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目前人體曲面的校正方法主要有()
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