阻抗歸一化方法消除了原邊線圈阻抗以及激勵頻率對曲線位置的影響。

當冷變形度超過10%時，電阻稍有增加，通常純金屬由冷變形引起的電阻的增加約為2～6%。

金屬在壓應(yīng)力作用下，由于原子振幅的減小，導致電導率減小。

溫度升高會導致自由電子與金屬晶格中的正離子碰撞加劇，使電阻增大，電阻與溫度之間存在線性關(guān)系。

石墨材料具有一定的導電能力，與硅、鍺元素同屬半導體，但是不能采用渦流技術(shù)檢測石墨及其復合材料制品。

雜質(zhì)會導致金屬晶格的畸變，造成電子散射，使電導率增加。

有效磁導率μeff是一個完全取決于頻率比f /fg的大小的參數(shù)。

電阻值愈小的材料，導電性能就愈好。

金屬氧化物雖由金屬經(jīng)氧化而得，都能保持原來的導電性。

鐵磁性圓柱試件和非鐵磁性圓柱試件半徑的變化在復阻抗平面上的效應(yīng)方向是一致的。