A、3.0m
B、2.8m
C、3.6m
D、4.2m
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A、門、窗洞口側邊
B、后補的施工洞口和經(jīng)修補的砌體
C、獨立磚間墻
D、磚墻上
A、開槽釋放應力
B、砌體的應力一應變曲線
C、砌體原始主應力值
D、彈性模量
E、回彈模量
A、主控項目的質量經(jīng)抽樣檢驗合格
B、一般項目的質量經(jīng)抽樣檢驗合格,當采用計數(shù)檢驗時,除有專門要求外,一般項目的合格點率應達到80%及以上,且不得有嚴重缺陷
C、僅隱蔽工程驗收記錄
D、具有完整的施工操作依據(jù)和質量驗收記錄
A、施工技術標準
B、健全的質量管理體系
C、施工質量控制
D、質量檢驗制度
A、槽間砌體每側的墻體寬度應不小于1.5m。
B、同一墻體上測點數(shù)不宜多于1個,測點數(shù)量不宜太多。
C、限用于240mm磚墻。
D、扁頂法應與其他砌筑砂漿強度檢測或砌體抗剪強度檢測一同使用。
最新試題
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學性質發(fā)生變化。通過測量電學性質的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
如果雜質既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質稱為()。
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
最有效的復合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()