A.高階勞厄斑；
B.超結(jié)構(gòu)斑點(diǎn)；
C.二次衍射斑；
D.孿晶斑點(diǎn)
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A.球面外；
B.球面上；
C.球面內(nèi)；
D.B+C。
A.尺寸很小的倒易點(diǎn)；
B.尺寸很大的球；
C.有一定長(zhǎng)度的倒易桿；
D.倒易圓盤。
A.規(guī)則的平行四邊形斑點(diǎn)；
B.同心圓環(huán)；
C.暈環(huán)；
D.不規(guī)則斑點(diǎn)。
A.物鏡的物平面；
B.物鏡的像平面
C.物鏡的背焦面；
D.物鏡的前焦面。
A.中間鏡的物平面與與物鏡的背焦面重合；
B.中間鏡的物平面與與物鏡的像平面重合；
C.關(guān)閉中間鏡；
D.關(guān)閉物鏡。
最新試題
掃描電鏡的背散射電子像中，圖像上亮區(qū)對(duì)應(yīng)區(qū)域的原子序數(shù)（）暗區(qū)對(duì)應(yīng)區(qū)域的原子序數(shù)。
X射線衍射儀中，通常用于測(cè)定2θ范圍不大的一段衍射圖，常用于精確測(cè)定衍射峰的積分強(qiáng)度和位置的掃描方式為（）。
根據(jù)衍襯運(yùn)動(dòng)學(xué)原理，理想晶體衍射強(qiáng)度隨（）而變化。
（）需要試樣與參比物之間溫度始終保持相同。
關(guān)于X射線衍射儀的測(cè)量動(dòng)作，說法正確的是（）。
關(guān)于stokes線和anti-Stokes線，說法正確的是（）。
掃描電鏡的二次電子像中，樣品表面的深凹槽底部產(chǎn)生較多二次電子，在熒光屏上這些部位的亮度較大。
在體心點(diǎn)陣中，當(dāng)（HKL）晶面的H+K+L為奇數(shù)時(shí)，產(chǎn)生系統(tǒng)消光。
孔徑半角越小，衍射效應(yīng)所決定的電磁透鏡的分辨率越高。
在電子探針面分析中，根據(jù)圖像上亮點(diǎn)的疏密和分布，可確定該元素在試樣中分布情況，亮區(qū)代表元素含量（）。