A.p-n結(jié)兩邊摻雜濃度相差較大時,反向飽和電流密度主要由摻雜濃度較低的一側(cè)貢獻。
B.在一定溫度下,與Si材料相比,GaAs具有較小的有效態(tài)密度和較大的禁帶寬度,所以GaAs可獲得更低的反向飽和電流密度。
C.p-n結(jié)兩邊摻雜濃度越高,越有利于降低反向飽和電流密度。
D.與半導(dǎo)體中的載流子壽命、擴散長度、導(dǎo)帶價帶的有效態(tài)密度、摻雜濃度以及禁帶寬度有關(guān)。賦予他們恰當值可以得到較大的VOC。
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