A.縱波轉(zhuǎn)換為橫波
B.橫波轉(zhuǎn)換為縱波
C.聲波轉(zhuǎn)換為電磁波
D.A、B和C
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你可能感興趣的試題
A.壓電晶片、電極層
B.吸收塊
C.保護(hù)膜、外殼
D.A、B和C
A.發(fā)射電路
B.接收電路
C.顯示電路
D.同步電路
A.直角坐標(biāo)形式
B.統(tǒng)計(jì)表形式
C.圖像形式
D.以上都不對(duì)
A.(Z1Z33)/2
B.Z1Z3
C.Z1/Z3
D.Z3/Z1
A.聲場(chǎng)
B.聲壓強(qiáng)
C.聲速
D.聲阻抗
最新試題
Z 超聲波檢測(cè)鑄件時(shí)可作為缺陷記錄的是()。
滲透劑檢測(cè)壓力噴灌的存放應(yīng)避免()。
工藝評(píng)定試件焊后應(yīng)進(jìn)行()。
大厚度比試件透照特殊技術(shù)中的補(bǔ)償技術(shù)是指利用()填補(bǔ)工件的較薄部分,使透照厚度差減小的方法。
將彎曲液面對(duì)液體的壓強(qiáng)與平面液面對(duì)液體的壓強(qiáng)相比,任何液面膜對(duì)液體施以附加壓強(qiáng),下面描述正確的是()。
與一次射線(xiàn)相比,散射線(xiàn)的()。
在氣候潮濕地區(qū)或潮濕季節(jié),儀器長(zhǎng)期不用,應(yīng)做到(),以驅(qū)除潮氣,防止儀器內(nèi)部短路或擊穿。
用雙晶探頭檢測(cè)時(shí),為增加缺陷顯現(xiàn)次數(shù)和反射幅度,檢測(cè)細(xì)長(zhǎng)缺陷應(yīng)使探頭()。
對(duì)漏磁檢測(cè)原理描述正確的有()。
單晶體金屬特點(diǎn)有()。