多項選擇題計算機硬件的邏輯運算包括（）運算。
A.與
B.或
C.非
D.異或
E.同或
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1.多項選擇題組建內存時，容量的擴展包括（）幾種情況。
A.字擴展
B.位擴展
C.體擴展
D.線擴展
2.多項選擇題只讀存儲器包含（）幾類。
A.掩模型
B.快閃型
C.可編程型
D.可檫可寫型
E.緩沖型
3.多項選擇題按存取方式分類，存儲器可分為（）三種。
A.SOM
B.RAM
C.ROM
D.SAM
4.多項選擇題浮點加減運算，結果舍入包括（）幾種情況。
A.4舍5入
B.0舍1入
C.恒置1
D.恒置0
5.多項選擇題檢測溢出的方法有多種，包括用（）的方法。
A.1個符號位
B.2個符號位
C.3個符號位
D.4個符號位
最新試題
將十六進制數(shù)（2BA）16化成十進制數(shù)，正確結果為（）。
題型：單項選擇題
寫出X=10111101的補碼表示，正確結果為（）。
題型：單項選擇題
動態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極（）來存儲信息的。
題型：單項選擇題
軟件堆棧在工作中（）移動。
題型：單項選擇題
RAM記憶單元從6管變到4管，在保持狀態(tài)時沒有外加電源供電，使得RAM成為了（）。
題型：單項選擇題
在計算機存儲層次結構中，以下哪種存儲器技術能同時具備高速訪問、低功耗和大容量？（）
題型：單項選擇題
計算機系統(tǒng)是可以分層的，在某級觀察者角度看到的機器被稱為（），只需要通過該級語言來了解和使用。
題型：單項選擇題
刷新控制電路的主要任務是解決刷新和（）之間的矛盾。
題型：單項選擇題
已知定點小數(shù)的真值X=-0.1001，寫出[X]反，正確結果為（）。
題型：單項選擇題
柵極電平只能維持一段時間，若要維持所保存的信息，需要對C1、C2電容充電，此過程被稱為“刷新（refresh）”。刷新過程也就是讀出過程，但只為完成充電而并不需要讀出信息，定期執(zhí)行一次（）。
題型：單項選擇題