探傷中探頭晶片尺寸增加，相應(yīng)的（）對(duì)探傷有利。

超聲波探傷探頭的型式一般有（）等。

在探傷中選用較高的頻率，將會(huì)使得（）因而發(fā)現(xiàn)小缺陷的能力強(qiáng)，可提高對(duì)缺陷的定位精度。

探傷中采用軌頭側(cè)面校對(duì)法，它主要適用于（）的校對(duì)。

在橫波探傷中，探頭K值對(duì)探傷（）有較大的影響。

通用儀器對(duì)焊補(bǔ)層的下核傷是以核傷最高反射回波的80%再增益12dB作為校對(duì)靈敏度，以最大回波顯示的刻度來(lái)確定（）。

核對(duì)軌頭剝離層下的傷損一般采用（）。

探傷工藝流程中探傷技術(shù)規(guī)范主要指的是（）

探傷工藝規(guī)程編制應(yīng)對(duì)受檢工件的（）做好記錄。

垂直法局部掃查即探頭在整個(gè)面上按規(guī)定，并事先劃出的線上移動(dòng)，相鄰掃查線的間距往往（）探頭直徑。