A、當(dāng)缺陷尺寸小于射源尺寸時(shí),才需要引入σ對(duì)底片對(duì)比度進(jìn)行修正
B、σ值越小,幾何條件對(duì)底片對(duì)比度的影響越大
C、為提高σ值而改變透照布置,常用的方法是增大焦距
D、為提高底片對(duì)比度,應(yīng)盡量采用σ>1的透照布置
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A、射源尺寸
B、射源到缺陷的距離
C、缺陷到膠片的距離
D、缺陷相對(duì)于射源和膠片的位置和方向
A、影像放大率Mf數(shù)越小,因而缺陷越難發(fā)現(xiàn)
B、影像放大率Mf數(shù)越大,而缺陷越難觀察
C、形狀修正系數(shù)σ越大,因而缺陷檢出率越低
D、以上都不是
A、為了工作方便,底片與增感屏同裝在底片套內(nèi)時(shí),每次可多裝一些,以后慢慢取用
B、與增感屏同裝在一起的底片有增感屏保護(hù),在較高溫度下也沒(méi)有關(guān)系
C、有增感屏保護(hù),可防止底片受潮
D、以上都不對(duì)
A、清潔
B、防潮
C、防止破損
D、以上都對(duì)
A、設(shè)備接地
B、按制造廠(chǎng)家的規(guī)定程序訓(xùn)機(jī)
C、用探測(cè)儀探測(cè)輻射量并測(cè)定管制區(qū)
D、以上都對(duì)
最新試題
半價(jià)層厚度與()相關(guān)。
感應(yīng)電流法磁化工件主要采用()
著色滲透劑應(yīng)具有()性能。
采用X射線(xiàn)機(jī)對(duì)某一工件探傷時(shí),焦距為1m,曝光時(shí)間為6min,其余條件均不變,曝光時(shí)間改為3min時(shí)透照焦距應(yīng)改為()
磁力線(xiàn)有哪些特征?
關(guān)于近場(chǎng)長(zhǎng)度的說(shuō)法,正確的是()
在近場(chǎng)以外的部分,即聲程大于3N的遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)聲壓與距離的關(guān)系為()
與直探頭相比,雙晶探頭()
射線(xiàn)經(jīng)過(guò)一個(gè)半價(jià)層后,其()衰減一半。
超聲縱波以590000cm/s的速度穿過(guò)29.5mm厚的工件,所需時(shí)間為()