A、射源至底片距離
B、焦點(diǎn)大小
C、底片的黑度
D、試件厚度變化
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A、小焦點(diǎn)、大焦距透照
B、小焦點(diǎn)、小焦距透照
C、選細(xì)微粒膠片
D、鉛箔增感
A、與工件厚度成正比,與焦點(diǎn)尺寸成反比
B、與工件厚度成反比,與焦點(diǎn)尺寸成反比;
C、與焦點(diǎn)尺寸成正比,與焦距成反比
D、與焦點(diǎn)尺寸成反比,與焦距成正比
A、成正比
B、成反比
C、與距離平方成正比
D、與距離平方成反比
A、射源尺寸減小
B、試件厚度減小
C、射源至物件距離增加
D、以上都是
A、實(shí)際上是一回事
B、沒有直接關(guān)系
C、可以共同構(gòu)成總的不清晰度
D、前者指影像放大系數(shù),后者指影像的半影
最新試題
表征平面圓晶片發(fā)射的超聲束特征的主要是()
關(guān)于超聲波斜入射,下列說法正確的是()
化學(xué)清洗用于去除工件表面的()
射線照像底片上產(chǎn)生黑色樹枝狀花紋的原因是()
在近場(chǎng)以外的部分,即聲程大于3N的遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)聲壓與距離的關(guān)系為()
直射法探傷時(shí)試件的探測(cè)面應(yīng)選在與缺陷最大表面()
焊縫超聲波探傷時(shí),當(dāng)探頭作定點(diǎn)轉(zhuǎn)動(dòng)或環(huán)繞運(yùn)動(dòng)是為了()
小口徑管道射線探傷時(shí)常采用()方法透照。
射線經(jīng)過一個(gè)半價(jià)層后,其()衰減一半。
下列關(guān)于IIW試塊的說法,正確的是()