已知晶格常數(shù)為a的簡(jiǎn)單立方晶系，s態(tài)電子構(gòu)成的能帶為，測(cè)得帶頂?shù)挠行з|(zhì)量為，求：
（1）參數(shù)B，
（2）求能帶寬度，
（3）布里淵區(qū)中心附近電子的態(tài)密度。

對(duì)原子間距為a的由同種原子構(gòu)成的二維密堆積結(jié)構(gòu)，正格子可以表示為：
其中a為晶格常數(shù)。s帶能帶可以表示為：
（1）求能量最大值、最小值和能帶寬度。
（2）求電子的速度。
（3）求有效質(zhì)量張量倒數(shù)矩陣，求帶底和帶頂?shù)挠行з|(zhì)量。

已知在緊束縛近似下，面心立方晶體s態(tài)電子構(gòu)成的能帶為：

（1）求能帶寬度。
（2）求帶低的有效質(zhì)量。
（3）證明，在布里淵區(qū)中心，等能面近似為球形。并求布里淵區(qū)中心附近的有效質(zhì)量。

已知在緊束縛近似下，體心立方晶體s態(tài)電子構(gòu)成的能帶為：

（1）求能帶寬度，
（2）求電子在能帶中的運(yùn)動(dòng)速度，求帶底和帶頂?shù)乃俣龋?br /> （3）求電子的有效質(zhì)量倒數(shù)張量，求帶底和帶頂?shù)挠行з|(zhì)量。

設(shè)一一維晶格的電子能帶可寫成：E（k）＝（ћ²/ma²）·[7/4－2coska＋（1/4）cos2ka]其中a為晶格常數(shù)，求
（1）能帶寬度，
（2）電子在波矢狀態(tài)時(shí)的速度，
（3）能帶底部和頂部電子的有效質(zhì)量。