在平界面凝固條件下，界面處液體內(nèi)實(shí)際溫度梯度應(yīng)（）液相熔點(diǎn)溫度分布的梯度。

低壓鑄造方法適合鑄造（）。

與立式鑄造法相比，水平鑄造法所具有的優(yōu)勢(shì)不包括（）。

在普通模鑄造法中二次冷卻指的是（）。

均勻形核發(fā)生所需要的過(guò)冷度大概為其熔點(diǎn)的（）倍。

以下哪種方法適用于小型鑄件？（）

以下不屬于成分過(guò)冷理論局限的是（）。

單晶硅中摻雜硼可以形成P型半導(dǎo)體，根據(jù)單晶成分和晶體特征分類(lèi)，P型半導(dǎo)體屬于哪一類(lèi)？（）

在均勻形核過(guò)程中，形成臨界晶核時(shí)體系的自由能（）；過(guò)冷度越（），形核越容易。

在枝晶生長(zhǎng)過(guò)程中，二次枝晶臂由于它們的曲率不同，會(huì)造成各枝晶臂附近液相內(nèi)溶質(zhì)濃度的差別，枝晶曲率半徑愈小，附近液相溶質(zhì)濃度（）。