在晶體材料中，對(duì)于長(zhǎng)程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是（）。

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

編寫(xiě)DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。

BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動(dòng)能力。

什么是MOS器件的體效應(yīng)？

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施？

MOS場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類(lèi)（）和（）。每種類(lèi)型可由各自器件的多數(shù)載流子來(lái)區(qū)別。

規(guī)定版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則的意義是什么？

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類(lèi)（）。