注意的丘腦網(wǎng)狀核閘門(mén)學(xué)說(shuō)認(rèn)為，丘腦網(wǎng)狀核只接受從（）來(lái)的下行纖維，當(dāng)大量高位反饋的下行沖動(dòng)引起它的興奮，就會(huì)對(duì)（）產(chǎn)生抑制功能，使大量干擾項(xiàng)的刺激信息很難傳入腦高級(jí)中樞。

記憶痕跡理論認(rèn)為電抽搐會(huì)干擾短時(shí)記憶的原因是（）

論述海馬的兩個(gè)記憶回路及其證據(jù)。

間腦包含哪幾個(gè)部分？（）

簡(jiǎn)述大腦、小腦和基底神經(jīng)節(jié)在無(wú)監(jiān)督學(xué)習(xí)、強(qiáng)化學(xué)習(xí)和監(jiān)督學(xué)習(xí)三種不通模式中的作用機(jī)制。

皮層高級(jí)知覺(jué)通路有（）

簡(jiǎn)述自閉癥譜系障礙（ASD）的核心癥狀、重型和輕型表現(xiàn)。

小腦參與哪些類(lèi)型的學(xué)習(xí)？（）

簡(jiǎn)述長(zhǎng)時(shí)程增強(qiáng)效應(yīng)。

慢性埋藏電極刺激動(dòng)物腦的某些部位會(huì)引發(fā)動(dòng)物的自我刺激行為，其中以內(nèi)側(cè)前腦束后部的陽(yáng)性自我刺激反應(yīng)率最高，這是因?yàn)椋ǎ┩泛停ǎ┩吩诖藭?huì)合。